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MTKはTankeBlue社（タンケブルー社）と契約し、安価で高品質なSiCウエハーを日本の顧客に販売いたします。
SiCウエハーはパワーLSI用、高輝度LED用として今後の使用増加が期待されています。
4インチ、6インチに加え5mm角から30mm角基板も扱っております。
SiCウエハ販売
| インチ | タイプ ※ | オフ角度 ※ | グレード | マイクロパイプ数 ※ | 厚さ | 表面加工仕上げ |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 6インチ | 4H-Nタイプ | 4°±0.5° | プライム | ≤ 0.5 cm-2 | 350±25um | Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ(ミラー） |
| プロダクション | ≤ 2 cm-2 | |||||
| ダミー | ≤ 15 cm-2 |
| インチ | タイプ ※ | オフ角度 ※ | グレード | マイクロパイプ数 ※ | 厚さ | 表面加工仕上げ |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 4インチ | 4H-Nタイプ | 4°±0.5° | プライム | ≤ 0.5 cm-2 | 350±25um | Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ(ミラー） |
| プロダクション | ≤ 2 cm-2 | |||||
| ダミー | ≤ 15 cm-2 | |||||
| 4H-半絶縁性 | 0°±0.5° | プライム | ≤ 1 cm-2 | 500±25um | Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ(ミラー） |
|
| プロダクション | ≤ 5 cm-2 | |||||
| ダミー | ≤ 15 cm-2 |
| アズスライス品
（INGOT切り出し状態。 外周円形加工あり） |
タイプ ※ | オフ角度 ※ | グレード | マイクロパイプ数 ※ | 厚さ | 表面加工仕上げ |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 4インチ 4H-N | 4°±0.5° | ダミー | ≤ 50 cm-2 | 400±25um | 1次･2次オリフラ有り。
研削・CMP無し |
※はSiC用語辞典をご参照下さい。
6インチSiCウエハ仕様表
| グレード区分 | |||
| プライム（Z級） | プロダクション | ダミー | |
| ポリタイプ | 4H-N | ||
| 直径 | 150mm±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| キャリア種類 | N-type | ||
| 抵抗 | 0.015~0.025 Ω·cm | 0.015~0.0.028Ω·cm | |
| オフ角度 | 4.0°±0.5° | ||
| TTV/Bow /Warp | TTV ≦ 15μm Bow ≦ 40μm Warp ≦ 60μm | ||
| マイクロパイプ数 | ≦ 0.5 ㎠ | ≦ 2 ㎠ | ≦ 15 ㎠ |
| 表面粗さ | Si面：CMP仕上げ：Ra ≦ 0.5 nm | ||
| C面：光学鏡面仕上げ：Ra ≦ 1.0 nm | |||
| Edge exclusion | 3mm | ||
| 1次オリフラ | ( 10-10 )面 ±5.0° | ||
| 1次オリフラ長さ | 47.5mm±2.0mm | ||
4インチSiCウエハ仕様表
| グレード区分 | |||
| プライム（Z級） | プロダクション | ダミー | |
| ポリタイプ | 4H-N | ||
| 直径 | 100mm±0.5mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| キャリア種類 | N-type | ||
| 抵抗 | 0.015~0.025 Ω·cm | 0.015~0.0.028Ω·cm | |
| オフ角度 | 4.0°±0.5° | ||
| TTV/Bow /Warp | TTV ≦ 15μm Bow ≦ 25μm Warp ≦ 40μm | ||
| マイクロパイプ数 | ≦ 0.5 ㎠ | ≦ 2 ㎠ | ≦ 15 ㎠ |
| 表面粗さ | Si面：CMP仕上げ：Ra ≦ 0.5 nm | ||
| C面：光学鏡面仕上げ：Ra ≦ 1.0 nm | |||
| Edge exclusion | 2mm | ||
| 1次オリフラ | ( 10-10 )面 ±5.0° | ||
| 1次オリフラ長さ | 32.5mm±2.0mm | ||
| 2次オリフラ | 1次オリフラから時計回りに 90° ± 5.0° | ||
| 2次オリフラ長さ | 18.0mm±2mm | ||
SiCインゴット製品
| SiCインゴット | タイプ ※ | オフ角度 ※ | グレード | マイクロパイプ数 ※ | 厚さ | 表面加工仕上げ |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 6インチ 4H-N | 4°±0.5° | ダミー | ≤ 50 cm-2 | ・5～9.9mm
（厚さAタイプ） ・10～14.9mm (厚さBタイプ） ・15～ 19.9mm （厚さCタイプ） ※スポット供給品 |
外周円形加工有り
1次･2次オリフラ有り 
|
|
| 4インチ 4H-N | 4°±0.5° |
※はSiC用語辞典をご参照下さい。
SiCウエハ、角基板の片面または両面に電極用金属膜を形成します。
| 膜種類 | Ti Ni Au Mo Pt Al Cr 等 |
|---|---|
| 成形方法 | スパッタ方式 蒸着方式 |
| 膜厚 | 0.05μm～10μm |
| その他の膜種 | 酸化膜 ポリシリ膜等 |
ウエハ標準厚350μmから最小100μm厚まで薄厚化致します。ご希望の厚さにお応え致します。
複雑形状のような加工も可能ですので、ご希望の仕様をお聞かせ下さい。
4インチ、6インチ、各サイズSiCウエハを御社希望サイズの角チップにダイシング致します。
□1mm～40mmの範囲でご指定下さい。
ダイシング後のチップの発送は、ダイシング用テープにダイシングされたウエハを貼った方法が標準となります。
また角チップ専用トレーでの発送にもお応え致します。
MTKはSiC製品の販売開始依頼、クイックサービスと安価さにより多くの顧客から好評を得ております。
おかげ様で取引先は300社を越えました。他社では扱っていないからと、あきらめていた場合でも、是非一度ご相談下さい。顧客の声に真摯に対応させて頂きます。
販売実績リスト
■LSI製造会社 ■センサ・MEMS製造会社 ■自動車製造会社
■電力会社 ■LED製造会社 ■製薬会社
■半導体用装置製造会社
◯炉関係（酸化、アニール等）用 ◯研磨・研削等加工用 ◯イオン注入用 ◯ダイシング・スライス加工用 ◯搬送機用
■試料分析会社 ■スラリー・パッド等材料会社 ■商社
■大学 ■公共研究機関 ■研究機関
■電力会社 ■LED製造会社 ■製薬会社
■半導体用装置製造会社
◯炉関係（酸化、アニール等）用 ◯研磨・研削等加工用 ◯イオン注入用 ◯ダイシング・スライス加工用 ◯搬送機用
■試料分析会社 ■スラリー・パッド等材料会社 ■商社
■大学 ■公共研究機関 ■研究機関
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