1.枚叶式设备的优点(与浸泡式浴槽式相比较)
■晶片表面的粒子的数量非常少
(可清洗25nm以上大小)
可清洗例如:附着颗粒数… 10个/W以下(0.08μm以上的粒子)
参考:槽式的情况下200/W
■药液,纯净水的消耗少,
实施例
药液…1%dHF,20ℓ/天
纯水…每枚晶片处理需要0.5〜1ℓ/分钟
小器件尺寸(可定制)
8英寸晶片情况下,
设备主体1100(长),800(宽),1900(高)
药液供给装置510(长),800(宽),1800(高)
2.高性能低价格
例如通过独创的腔室结构,从而实现滴水预防
为了处理该滴水预防等,无需反吸由处理腔室结构,根据自己的设计。
此外,清洗装置采用独特的搬运方式的设计,从而实现小型低价。
对于“想要高性能的设备,却不想要高价”的客户来说是最完美的清洗设备。
右图是本公司的产品与其他公司的比较图。MTK的设备性能与大公司相当,
但价格却是大公司的一半左右。
清洗设备制造公司的地位
3.可定制
材料的过度使用,不必要功能的过度设计将造成设备价格过高,MTK以客户为本,根据客需求的主次而提供设计方案。
如果您遇到难题也请不要放弃,首先请联系MTK。
4.充实的生产支持体制
根据客户对设备规格,运行条件的不同需要而提供不同的设计方案。
MTK与很多经验丰富的公司建立了合作伙伴关系。
为了应对大量订单,产品的制造由シナノ精機来完成。
此外,我们还提供24小时之内的现地技术支持。
シナノ精機是位于新泻县长冈市的集半导体设备制造,售后服务为一体的专业团队。
此外,在销售方面,我们委托
总部位于石川县金泽市,有着70年优久历史的老牌优良企业,金泽机工来完成。
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晶片的表面的粒子数少
MTK拥有独特的室结构技术,在晶片处理过程中
通过合理控制气流,液流,最合适的药液选择从而降低晶片表面的颗粒数。
例1)1%dHF 15秒处理(6英寸) 20個/W(0.3μm以上)
例2)DIW 30秒处理(6英寸) 5個/W(0.08μm以上) -
高性能,低价格
性能高则价格高,性能低则价格低是如今设备市场上的普遍情况。
然而”想要高性能的设备,却不想要高价”的客户也大量存在。
MTK将满足这些客户的需求。 -
占用空间小
MTK拥有其他公司不具备的技术,实现了占地面积小型化
1.独特的传送方式(不使用市面上出售的机器人)。
2.化学液体2和纯水冲洗,以完成在该室干燥之一的过程。我们已经采取了若干级立式室。
3,针对客户设计不同装置,提供最好的设计方案。
4.通过提供技术方案减少多余零件的使用。 -
技术工艺条件的提案
很多设备制造商擅于硬件的制造,而处理技术缓解薄弱。
然而MTK拥有曾在半导体制造公司工作的员工,可针对客户提供最适合的设计方案
例
◯药液的选定
◯处理时间,转数
◯氢水,机能水等 -
同时清洗晶片的两侧
通常情况,固定晶片外周部清洗晶片里面时,对清洗设备硬件的控制十分困难。然而,MTK开发了
同时清洗晶片两面的新技术。 -
丰富的扩充选择
MTK除了节约成本的标准规格清洗设备之外,
还提供了可满足顾客需要的各种丰富选项。
例)
◯2流喷射 ◯超音速喷射
◯氢水,碳酸水等功能水 ◯臭氧水(最高为30ppm)
◯刷清洗 ◯角基板处理 ◯CMP后清洗
枚叶式清洗设备CL系列的的应用
◯半导体(前处理,后处理)
◯SAW滤波器或类似的传感器的
◯硬盘
◯FPD(LCD,智能手机等)
◯MEMS
◯太阳能电池
看到在视频枚叶式清洗设备
MTK 洗浄装置(片面処理バージョン) |
MTK洗浄装置(2流体ジェット) |
MTK洗浄装置(両面同時洗浄) |
MTK洗浄装置(単結晶SiCウエハ処理) |
枚叶式晶片清洗的优点(相对于浴槽式)
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10 个/ W
(@0.08μm)
晶片表面上的粒子数少 -
W1100✕L800✕H1800
设备安装面积小(8英寸情况下) -
约0.3升/晶片
纯净水使用量
约20升/天
药品液体使用量(1%dHF的情况下) -
◯晶圆尺寸2英寸到12英寸
◯角基板处理
◯臭氧水,氢水,
浸泡设备的颗粒问题
使用浴槽浸渍法,将晶片从液体取出时,已经去除了的颗粒将再次附着在晶片上。
特别是颗粒会从晶片表面的上部流到底部。
而使用枚叶式主轴方式清洗,晶片从过滤颗粒后的洁净的水中弹出,所以干燥后的晶片表面基本不附着颗粒。
枚叶式和浴槽浸渍式的性能比较
比較項目 | 浸漬式・バス式 | 枚葉式 |
---|---|---|
LSI 歩留まり(ゴミ数少ないため) | - | (3 ~7% の歩留まりアップ)50nm 世代 LSIの場合 |
スループット(枚/時間) | 300 | 100(2チャンバーの場合) |
フットプリント | 13m2 | 1.5~3m2 |
サイクルタイム(1枚処理時) | 45分 | 1分 |
省資源 純水消費量 | 2.000リッター/時間 | 300リッター/時間 |
省資源 薬液消費量 | 100リッター/日 | 20リッター/日 |
エッチング面内均一性(熱酸化膜) | 7% | 2% |
付着ゴミ数(0.1um以上ゴミ数をカウント) | 200個/ウエハ | 10個/ウエハ |
金属付着量(atoms/cm2) | <1E 12 | <1E10 |
装置トラブル時の廃棄ウエハ数 | 50枚 | 1枚 |
处理后晶片表面的颗粒数
パーティクル径 0.08 µm以上パーティクル数 (6inch Siウエハ表面上) |
|||||||
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処理内容 | 0.079~0.086um | 0.087~0.10um | 0.11~0.136um | 0.137~0.202um | 0.203~1.005um | 1.006um~ | トータル 増加数 |
DIW→乾燥(回転+N2) | 2 | 0 | 2 | 0 | 0 | 1 | 5 |
同上 | 6 | 3 | 0 | 0 | 0 | 4 | 13 |
薬液1→DIW→乾燥(N2) | 25 | 7 | 9 | 0 | 0 | 0 | 41 |
最先端LSI製造レベルの清浄度を満足しております。
处理后晶片表面的颗粒数
処理前510個 |
処理後43個 |
颗粒去除率92%(6英寸碳化硅晶片颗粒@ 0.15μm
通过化学药液去除干蚀刻残渣(铝布线工艺)
処理前 |
処理後 |
有机化学溶液(25℃)30秒处理 |
金属附着数据
由于液体接触部分主要由PFA和PTFE树脂制成,因此没有金属杂质附着在加工产品上。
晶片尺寸 | 2寸,4寸,6寸,8寸,12寸 |
---|---|
晶片材料 | 碳化硅,硅,砷化镓,氮化镓,玻璃,LT |
处理室数 | 1室,2室,3室,4室 |
药液 | 最多两种(共3种类型可选) |
药液温度 | 高达80℃(超过80度以上需要追加选项) |
可选设备 | 2流体喷射功能(推荐)。超音速喷嘴功能。 |
用力 | 纯净水,氮气(干燥),空气,电源,真空(运输) |
性能规格
附着粒子的数量 | 20个/晶片(0.08μm或以上大小)5 个/晶片(0.15μm以上大小) |
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金属污染物 | 1E10 atoms/ cm 2以下 |
刻蚀的均匀性 | 小于2%(使用dHF蚀刻热氧化膜的情况下) |
液体化学药品再利用率 | 95%以上可循环使用 |