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MTKは中国の単結晶GaN製造会社である蘇州納維科技有限公司と契約締結し、日本国内でのウエハ販売を開始いたしました。
パワーLSI用、高輝度LED用、高性能レーザ用に注目されています。
GaNテンプレート（φ2インチ）
| 製品型番 | GaN-T-C-N-C50 | GaN-T-C-P-C50 | |
|---|---|---|---|
| 直径 | φ50.8mm ± 0.1mm | ||
| GaN膜厚 | 4um。 10～25um | 4um | |
| 方位面 | C面（0001）面 ± 0.5° | ||
| 導電タイプ | N型 (Undoped) |
N型 (Si-doped) |
P型 |
| オリフラ方位。長さ | オリフラ方位（１－１００）。 オリフラ長さ１６ ±1mm | ||
| 電気抵抗率(300K) | ＜ 0.5Ω・cm | ＜ 0.05Ω・cm | ～10Ω・cm |
| 転移欠陥密度 | 5 X 108 個/cm2以下 | ||
| 基板構造 | GaN / サファイアウエハ（0001）面 | ||
| 有効面積 | 90％以上 | ||
| 表面仕上げ | Ga面：CMP仕上げ。 N面：ﾌｧｲﾝｸﾞﾗﾝﾃﾞｨﾝｸﾞ（オプション：光学鏡面仕上げ） | ||
| 梱包方法 | クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。 | ||
GaNテンプレート（φ4インチ）
| 製品型番 | GaN-T-C-N-C100 |
|---|---|
| 直径 | φ100mm ± 0.1mm |
| GaN膜厚 | 4um。 10～25um |
| 方位面 | C面（0001）面 ± 0.5° |
| 導電タイプ | N型 (Undoped) |
| オリフラ方位。長さ | オリフラ方位（1－100）。 オリフラ長さ 30 ±1mm |
| 電気抵抗率(300K) | ＜ 0.5Ω・cm |
| 転移欠陥密度 | 5 X 108 個/cm2以下 |
| 基板構造 | GaN / サファイアウエハ（0001）面 |
| 有効面積 | 90％以上 |
| 表面仕上げ | Ga面：CMP仕上げ。 N面：ﾌｧｲﾝｸﾞﾗﾝﾃﾞｨﾝｸﾞ（オプション：光学鏡面仕上げ） |
| 梱包方法 | クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。 |
GaNウエハ（φ2インチ） Free-Standing GaN Substrate
| 製品型番 | GaN-FS-C-N-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
|---|---|---|
| 直径 | φ50.8mm ± 0.1mm | |
| ウエハ厚 | 350 ± 25 um | |
| 方位面 | C面（0001）面 ± 1° | |
| 導電タイプ | N型 (Undoped) |
半-絶縁性 |
| 1次オリフラ方位。長さ | オリフラ方位（1-1００）±0.5°。 オリフラ長さ１６ ±1mm | |
| 2次オリフラ方位。長さ | オリフラ方位（１1-2０）±3°。 オリフラ長さ 8 ±1mm | |
| 平坦度TTV | 15um以下 | |
| 反りBOW | 20um以下 | |
| 電気抵抗率(300K) | ＜ 0.5 Ω・cm | ＞ 106 Ω・cm |
| 転移欠陥密度 | ５ X １０5 個/cm2以下 | |
| 有効面積 | 90％以上 | |
| 表面仕上げ | Ga面：CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 N面：ﾌｧｲﾝｸﾞﾗｳﾝﾄﾞ(非鏡面) |
|
| 梱包方法 | クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。 | |
GaN角基板
| 製品型番 | GaN-FS-C-N-S10*10 | |
|---|---|---|
| サイズ | 10mm ＊ 10.5mm、 ±0.2mm | |
| 基板厚 | 350 ± 25 um | |
| 方位面 | C面（0001）面 ± 1° | |
| 導電タイプ | N型 (Undoped) |
半-絶縁性 |
| 平坦度TTV | 15um以下 | |
| 反りBOW | 20um以下 | |
| 電気抵抗率(300K) | ＜ 0.5 Ω・cm | ＞ 106 Ω・cm |
| 転移欠陥密度 | 5 X 105 個/cm2以下 | |
| 有効面積 | 90％以上 | |
| 表面仕上げ | Ga面：CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 N面：ﾌｧｲﾝｸﾞﾗｳﾝﾄﾞ（非鏡面） |
|
| 梱包方法 | クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。 | |
非極性GaN角基板（A面＆M面）
| 製品型番 | GaN-FS-A-N-S | GaN-FS-M-N-S |
|---|---|---|
| サイズ(例１） | 5mm ＊ 10mm、 ±0.2mm | |
| サイズ（例2） | 5mm ＊ 20mm、 ±0.2mm | |
| 基板厚 | 350 ± 25 um | |
| 方位面 | A面（1120）面 ± 1° M面（1-100）面 ± 1° |
|
| 導電タイプ | N型 (Undoped) |
半-絶縁性 |
| 1次オリフラ方位。長さ | オリフラ方位（1-1００）±0.5°。 オリフラ長さ１６ ±1mm | |
| 平坦度TTV | 15um以下 | |
| 反りBOW | 20um以下 | |
| 電気抵抗率(300K) | ＜ 0.5 Ω・cm | ＞ 106 Ω・cm |
| 転移欠陥密度 | 5 X 105 個/cm2以下 | |
| 有効面積 | 90％以上 | |
| 表面仕上げ | Ga面：CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 N面：ﾌｧｲﾝｸﾞﾗｳﾝﾄﾞ（非鏡面） |
|
| 梱包方法 | クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。 | |
AlNテンプレート（φ2インチ）
| 製品型番 | AlN-T-C-S-C50 |
|---|---|
| 直径 | φ50.8mm ± 0.1mm |
| GaN膜厚 | 標準仕様：4um オプション：10nm ～ 5000nm(5um) |
| 方位面 | C面（0001）面 ± 1° |
| 導電タイプ | 半絶縁性 |
| オリフラ方位。長さ | オリフラ方位（1－100）。 オリフラ長さ16±1mm |
| 基板構造 | AlN / サファイアウエハ(またはSiCウエハ、GaNウエハ) |
| 有効面積 | 80％以上 |
| 表面仕上げ | Al面：CMP仕上げ。 N面：標準仕様はﾌｧｲﾝｸﾞﾗﾝﾃﾞｨﾝｸﾞ仕上げ（オプション：光学鏡面仕上げ） |
| 結晶半値幅 （微少欠陥数程度） |
XRD半値幅(0002)面 ： ＜ 500 arcsec. XRD半値幅(10-12)面 ： ＜ 1500 arcsec. |
| 梱包方法 | クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。 |
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