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目的別ソリューション
単結晶SiC基板、洗浄装置、単結晶GaN、オゾン水生成装置それぞれお客様の目的を叶えるソリューションをご提供しております。
こちらに記載されていない目的などは、お気軽にご相談下さい。
- 単結晶SiC基板
- 洗浄装置
- 単結晶GaN
- オゾン水生成装置
SiCウエハ
（4インチ、6インチ）
SiCインゴット
（4インチ、6インチ）
角チップ
（〼1mm～〼50mm）
電極膜付
（Ni、Ti、Au等）
薄膜基板
（100μm厚）
複雑形状加工
販売実績（300社以上）
動画で見る洗浄装置
高性能ウエハ洗浄装置、MTKの枚葉式Wet処理装置MTK-CLシリーズの機能を4つの動画からご紹介しております。
再生中にYoutubeのロゴをクリックすると、大きな画面でご覧いただけます。
MTK洗浄装置
（片面処理バージョン）
MTK洗浄装置
（2流体ジェット）
MTK洗浄装置
（両面同時洗浄）
MTK洗浄装置
（単結晶SiCウエハ処理）
News
ＭＴＫの存在意義（基本的方針）
MTKは発展途上国の人々も豊かな生活ができるために半導体製造装置の提供を通じて努力します。
MTKの半導体製造装置は高性能と低価格を両立させる事を第1優先させます。
■MTKの存在価値
今後の化合物半導体基板が世界へ更に拡大される未来に貢献。
今後のフォトマスク用ガラス基板が世界へ更に拡大される未来に貢献。
高性能・低価格な製品と充実したフィールドサポートを継続的・安定的に提供します。
■MTKの製品範囲
洗浄装置
ウエットエッチング装置
■MTK製品の用途
・化合物半導体基板
SiC、GaN、In P、GaAs、LT、LN、Ga2O3、Glass
・フォトマスク用ガラス基板
Glass
■MTK製品の特長
高性能
低価格
顧客個別仕様に対応
2種類サイズ以上のウエハ基板に対応した製品
充実したフィールドサポート
MTK's role in this world
MTK strives to provide semiconductor manufacturing equipment to enable people in developing countries to live prosperous lives. MTK prioritizes offering semiconductor manufacturing equipment that balances high performance and low cost.
■MTK's Value
•Contributing to the future expansion of compound semiconductor substrates globally.
•Contributing to the future expansion of photomask glass substrates globally.
•Continuously and reliably providing high-performance, low-cost products and comprehensive field support.
■MTK's Product Range
•Cleaning Equipment
•Wet Etching Equipment
■Applications of MTK Products
•Compound semiconductor substrates (SiC, GaN, InP, GaAs, LT, LN, Ga2O3, Glass)
•Photomask glass substrates (Glass)
■Features of MTK Products
•High Performance
•Low Cost
•Custom specifications to meet individual customer needs
•Products supporting more than two sizes of wafer substrates
•Comprehensive Field Support
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SiCウエハとは？
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結晶SiCウエハ（SiC基板）は、昨今、パワー半導体、高輝度LED、高パワーレーザの用途で市場拡大が確実視されております。
では、SiCウエハとは何か。 SiCウエハの材料を構成する炭化ケイ素（SiC）は単結晶でありながら、Si原子とC原子が御互いの位置の組み合わせの違いにより、種々の結晶構造（ポリタイプという）が存在します。
自動車、家電、エネルギー発電などに使用されるパワー半導体においては、主に4H―Nタイプが使用されます。その他として6H―Nや３C－Nなどがあります。4H－NにおけるHは六方晶（Hexagonal）を意味します。－NはN型原子、多くは窒素を材料中に混入させて導電性をもたせたタイプを意味します。3CのCは立方晶（Cubic）を意味します。
SiCウエハは、現在主に使用されているSi(シリコン)材料に比較して、耐高温、耐高電圧という特徴がある為、何百度もある厳しい高温環境下に設置されても、極めて優れた省電力、高速度のスイッチング特性を発揮します。詳しくは単結晶SiC用語辞典を御覧ください。 -
株式会社MTKとは？
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2007年に現創業者の松井淳が設立した会社です。半導体をはじめとした微細加工に長年携わってきたことから、まずは、半導体用の部材の輸入販売を始めました。
主な製品としてはSiCウエハ（SiC基板）、GaNウエハ（GaN基板）です。お陰様で、SiCウエハにおいては、パワー半導体、省エネルギーのトレンドも追い風となり、国内に多くのお客様へ販売させていただいております。
更にそれまで研究開発を続けていた洗浄装置、ウエット処理装置も開発が終了し、2014年から販売を開始しました。これまで半導体、液晶、MEMS、センサー関連会社様からの問い合わせが増加してきており、今後のMTKの事業の柱となる製品です。
結晶SiCウエハ（SiC基板）は、昨今、パワー半導体、高輝度LED、高パワーレーザの用途で市場拡大が確実視されております。
では、SiCウエハとは何か。 SiCウエハの材料を構成する炭化ケイ素（SiC）は単結晶でありながら、Si原子とC原子が御互いの位置の組み合わせの違いにより、種々の結晶構造（ポリタイプという）が存在します。
自動車、家電、エネルギー発電などに使用されるパワー半導体においては、主に4H―Nタイプが使用されます。その他として6H―Nや３C－Nなどがあります。4H－NにおけるHは六方晶（Hexagonal）を意味します。－NはN型原子、多くは窒素を材料中に混入させて導電性をもたせたタイプを意味します。3CのCは立方晶（Cubic）を意味します。
SiCウエハは、現在主に使用されているSi(シリコン)材料に比較して、耐高温、耐高電圧という特徴がある為、何百度もある厳しい高温環境下に設置されても、極めて優れた省電力、高速度のスイッチング特性を発揮します。詳しくは単結晶SiC用語辞典を御覧ください。
2007年に現創業者の松井淳が設立した会社です。半導体をはじめとした微細加工に長年携わってきたことから、まずは、半導体用の部材の輸入販売を始めました。
主な製品としてはSiCウエハ（SiC基板）、GaNウエハ（GaN基板）です。お陰様で、SiCウエハにおいては、パワー半導体、省エネルギーのトレンドも追い風となり、国内に多くのお客様へ販売させていただいております。
更にそれまで研究開発を続けていた洗浄装置、ウエット処理装置も開発が終了し、2014年から販売を開始しました。これまで半導体、液晶、MEMS、センサー関連会社様からの問い合わせが増加してきており、今後のMTKの事業の柱となる製品です。
デモ評価・装置の見学