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ウエハ表面の
パーティクル数が少ない
MTKは独自の処理チャンバー構造を持っています。またウエハ処理中の気流、液流の最適化を計り最適な処理レシピ、 薬液の選択を行うことにより、極めて少ない表面パーティクル数を実現しています。
例1)1%dHF 15秒処理の場合(6インチ) 20個/W(0.15μm以上)
例2)DIW 30秒処理の場合(6インチ) 5個/W(0.08μm以上)
高性能、コストパフォーマンスに
優れた洗浄装置
現在の洗浄装置市場では高性能であるが高価格、逆に低価格ではあるが低性能といった状態になっております。
一方『高性能は欲しいが、高価格で困る』というお客様の声も聞こえてきます。
MTKではお客様の声にお応え致します。
小さな設置面積
MTKは他社にはない以下のことにより、業界で最小フットプリント(設置面積)を実現しています。
1.ユニークな搬送機構(市販ロボットを使用していません)。
2.薬液2種類と純水リンス、乾燥までひとつのチャンバーで処理が完了します。多数段式垂直チャンバーを採用しています。
3.各社個別に装置設計し、最適仕様をご提案致します。
4.プロセス技術提案による過剰パーツの削減を推進します。
プロセス条件の技術提案
とかく装置製造メーカーはハードウエアには詳しいですが、プロセス技術が不得手な場合多いのが現実です。
しかしMTKはもともと半導体製造会社出身者が在籍しているため、顧客に対して最適なプロセス条件をご提案できます。
例)
◯薬液選定をご提案致します。
◯処理時間、回転数などのレシピをご提案致します。
◯オゾン水、水素水、その他の機能水のご提案を致します。
ウエハの両面を同時に洗浄
通常、枚葉式洗浄装置ではウエハ裏面をチャック上にバキューム吸着してウエハ処理するため、ウエハ表面のみしか液を当てません。
またウエハ外周部を保持して処理する場合は、液をウエハ裏面に当てるためには、ハードウエア面での制約があり困難です。MTKは独自の手法でウエハ両面を同時に洗浄する技術を実現しました。
オプションも充実
(ベルヌイ式基板保持による極薄基板を処理可能化など)
MTKは徹底的にコストダウンされた洗浄装置標準仕様以外にも顧客に満足される豊富なオプション群を用意しております。
例)
◯べルヌイ式チャック(極薄150umi以下厚さの基板処理可能) ◯2流ジェットスプレ ◯メガソニックスプレ ◯水素水、CO2水等の機能水 ◯オゾン水(最大30ppm) ◯ブラシ洗浄 ◯角基板処理 ◯CMP後洗浄
ベルヌイ式基板保持により
2つの用途が可能(オプション)
1.極薄150um以下基板の処理
2.基板の裏面専用処理
◯半導体(前工程・後行程)
◯SAWフィルター等のセンサー
◯ハードディスク
◯FPD(液晶、スマートフォン等)。マスク洗浄
◯MEMS
◯太陽電池
片面洗浄 |
2流体ジェット |
両面同時洗浄 |
単結晶SiCウエハ処理 |
ベルヌイチャック動画ビデオ |
枚葉式洗浄&金属膜蝕刻装置 SiC & GaN |
超音波洗浄 |
バス浸漬方式は、ウエハ上から除去されたパーティクルがウエハを液から引き上げる際に、再付着する問題が発生します。
特にウエハ上部端面から、パーティクルがウエハ表面に垂れて付着します。
一方、枚葉スピン方式はフィルターによりパーティクルをあらかじめ除去した清浄な液のみをウエハに吐出する為、乾燥後にはウエハ表面にはパーティクルが殆ど残らないメリットがあります。
比較項目 | 浸漬式・バス式 | 枚葉式 |
---|---|---|
LSI 歩留まり(ゴミ数少ないため) | - | (3 ~7% の歩留まりアップ)50nm 世代 LSIの場合 |
スループット(枚/時間) | 300 | 100(2チャンバーの場合) |
フットプリント | 13m2 | 1.5~3m2 |
サイクルタイム(1枚処理時) | 45分 | 1分 |
省資源 純水消費量 | 2.000リッター/時間 | 300リッター/時間 |
省資源 薬液消費量 | 100リッター/日 | 20リッター/日 |
エッチング面内均一性(熱酸化膜) | 7% | 2% |
付着ゴミ数(0.1um以上ゴミ数をカウント) | 200個/ウエハ | 10個/ウエハ |
金属付着量(atoms/cm2) | ||
装置トラブル時の廃棄ウエハ数 | 50枚 | 1枚 |
パーティクル径 0.08 µm以上パーティクル数 (6inch Siウエハ表面上) | |||||||
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処理内容 | 0.079~0.086um | 0.087~0.10um | 0.11~0.136um | 0.137~0.202um | 0.203~1.005um | 1.006um~ | トータル 増加数 |
DIW→乾燥(回転+N2) | 2 | 0 | 2 | 0 | 0 | 1 | 5 |
同上 | 6 | 3 | 0 | 0 | 0 | 4 | 13 |
薬液1→DIW→乾燥(N2) | 25 | 7 | 9 | 0 | 0 | 0 | 41 |
処理前510個 |
処理後43個 |
処理前 |
処理後 |
有機系薬液(25℃)30秒処理 |
接液部にはPFA、PTFEを主とした樹脂を使用している為、処理後の製品には金属不純物が一切不着いたしません。
ウエハサイズ | 2inch , 4 inch , 6 inch , 8 inch, 12inch, フォトマスクなど四角基板(ガラスなど) |
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ウエハ材質 | SiC , Si , GaAs , GaN , ガラス ,LT |
処理チャンバー数 | 1チャンバー , 2チャンバー、3チャンバー、4チャンバー |
薬液 | 最大3種類 (オプション:4種類 ) |
薬液温度 | 最高130℃(SPM)まで対応可能 |
オプション設備 | ベルヌイチャック。2流体ジェット機能(推奨)。 メガソニックノズル機能。ウエハ両面ブラシ洗浄機能。 |
用力 | 純水, 窒素(乾燥用), エアー, 電源 , 真空(搬送用) |
付着パーティクル数 | 20 個/ウエハ (0.08um以上サイズ) 5 個/ウエハ (0.15 um以上サイズ) |
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金属コンタミネション | 1E10 atoms/cm2以下 |
エッチング均一性 | 2%以下 (熱酸化膜をdHFでエッチングの場合) |
薬液再利用効率 | 95%以上を循環使用(掛け捨てはしません) |
SiC(炭化ケイ素)はSiとCからなる半導体材料である。第2周期の元素であるCを有するSiCはSiやGaAsに比べ強固な結合原子を持ち、ワイドギャップ半導体と呼ばれる。SiCのバンドギャップは3.2eVと大きく、現在主流のSi半導体と比較し約3倍である。
その為、絶縁破壊電界強度はSi半導体の約10倍と脅威的に大きい。
その他、熱伝導度は3倍高く放熱性に優れ、耐熱性も良好である。